介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀的測(cè)試回路可用被測(cè)元件L、主調(diào)諧電容C、回路的損耗電阻R構(gòu)成的串聯(lián)電路來(lái)等效，當(dāng)測(cè)試回路諧振時(shí)（高頻信號(hào)源輸入信號(hào)的頻率為諧振頻率w0），主調(diào)電容上的電壓是信號(hào)源輸入電壓的Q倍，或Q=w0L/R=1/w0CR，顯然信號(hào)源頻率w0的穩(wěn)定度和精度、主調(diào)電容C的精度和分辨率、測(cè)試回路的高頻損耗R決定了儀器的品質(zhì)。模擬式的信號(hào)源穩(wěn)定性差，主調(diào)電容的分辨率和讀數(shù)精度低，使用復(fù)雜，并且不可避免地存在主觀(guān)的操作誤差。

　　介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn)：

　　1、介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀是根據(jù)GB/T1409《測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法》（等效采用IEC60250）設(shè)計(jì)和制造的，并符合JB7770等試驗(yàn)方法。

　　2、介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀適用于在高頻（1MHz）下絕緣材料的測(cè)試。

　　3、介電常數(shù)又稱(chēng)電容率或相對(duì)電容率，是表征電介質(zhì)或絕緣材料電性能的一個(gè)重要數(shù)據(jù)，常用ε表示。介質(zhì)在外加電場(chǎng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場(chǎng)，原外加電場(chǎng)(真空中)與終介質(zhì)中電場(chǎng)比值即為介電常數(shù)。其表示電介質(zhì)在電場(chǎng)中貯存靜電能的相對(duì)能力，例如一個(gè)電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質(zhì)后可使其電容變大ε倍。介電常數(shù)愈小絕緣性愈好。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場(chǎng)中，場(chǎng)的強(qiáng)度會(huì)在電介質(zhì)內(nèi)有可觀(guān)的下降。介電常數(shù)還用來(lái)表示介質(zhì)的極化程度，宏觀(guān)的介電常數(shù)的大小，反應(yīng)了微觀(guān)的極化現(xiàn)象的強(qiáng)弱。氣體電介質(zhì)的極化現(xiàn)象比較弱，各種氣體的相對(duì)介電常數(shù)都接近，液體、固體的介電常數(shù)則各不相同，而且介電常數(shù)還與溫度、電源頻率有關(guān)。

　　4、物質(zhì)介電常數(shù)具有復(fù)數(shù)形式，其實(shí)部即為介電常數(shù)，虛數(shù)部分常稱(chēng)為耗散因數(shù)。

　　5、通常將耗散因數(shù)與介電常數(shù)之比稱(chēng)作耗散角正切，其可表示材料與微波的耦合能力，耗散角正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強(qiáng)。例如當(dāng)電磁波穿過(guò)電解質(zhì)時(shí)，波的速度被減小，波長(zhǎng)也變短了。